Sabtu, 15 Januari 2011

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) merupakan sebuah non-volatile memori dan memang tdak umum untuk sebuah RAM (seperti Dual-ported RAM, Video RAM, WRAM, FeRAM), menggunakan muatan magnet untuk menyimpan data dan bukan muatan listrik seperti pada SRAM (Static RAM) atau DRAM (Dynamic RAM). MRAM telah dikembangkan sejak tahun 1990-an. Meskipun teknologi ini sudah dikembangkan, MRAM secara formal diperkenalkan pertama kali oleh IBM pada tahun 2007. Selanjutnya, berbagai developer lain seperti NVE dan Toshiba, mulai bermunculan dengan produk MRAM-nya masing-masing.

MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi elektron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal" yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan nonvolatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak radiasi tinggi, dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrim. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. MRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori di komputer - DRAM, flash dan bahkan cakram keras. MRAM juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). MRAM diaktifkan komputer akan dapat segera terpasang (karena tidak akan perlu ada beberapa tipe memori seperti hari ini). MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan, dan juga baterai.

Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar. Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.

Kelebihan dari MRAM
MRAM memiliki beberapa kelebihan dibandingkan memori-memori sebelumnya. Kelebihan-kelebihan itu antara lain:
• Teknologi MRAM dapat mempertahankan keberadaan data yang disimpan pada dirinya ketika supply energi dihentikan. (nonvolatile)
• Memiliki kecepatan tulis dan baca yang lebih cepat dibandingkan dengan teknologi lain termasuk Flash RAM dan EEPROM
• Tidak seperti DRAM yang membutuhkan aliran listrik yang konstan untuk menjaga integritas data, MRAM hanya membutuhkan sedikit listrik untuk menyimpan data.
• Memiliki densitas yang tidak kalah dengan DRAM

Dengan berbagai macam kelebihan yang dia punya, MRAM memiliki berbagai macam manfaat. Di dalam dunia aplikasi komersial, MRAM berguna untuk menyimpan data ketika system mengalami crash. Sedangkan pada dunia aplikasi hiburan (game misalnya), keberadaan MRAM digunakan pada feature resume, dimana pemain tidak akan kehilangan permainannya ketika terjadi mati listrik. MRAM juga memiliki manfaat untuk system keamanan dengan mengatur enkripsi. Parameter enkripsi dapat disimpan dengan cepat dan dipertahan kan selama system mati.